作者：刘黎明; 杨培志; 黄宗坦表面分析ar离子轰击高定向裂解石墨x射线光电子能谱
摘要：用X射线光电子能谱（XPS）研究了3．0keV Ar离子轰击高定向裂解石墨（HOPG）引起的表面结构的变化。通过对C1sC KLL及C2s谱峰形状的定性和定量分析，表明Ar离子轰击将破坏共价π键并导致表面局域sp^2杂化C键向sp^3杂化C键转化。sp^3／sp^2之比依赖于离子轰击时间。
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《新型炭材料》（CN：14-1116/TQ）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《新型炭材料》刊载内容为有关炭材料及其分支学科的基础科学、技术科学和与炭材料有关的边缘学科领域研究的最新成果，设有研究论文、研究简报、综述、专论、学术活动信息等栏目。
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