作者：兰聪; 罗源兵; 陈景; 甘戈金直流电场交流电场xrdtsa
摘要：研究了在外加直流电场和交变电场作用下,腐蚀介质离子的迁移量和不同龄期的腐蚀程度,通过XRD图谱分析了碳硫硅钙石的侵蚀过程,对比了电场对其离子迁移和碳硫硅钙石形成的影响。结果表明:腐蚀介质离子的迁移主要通过浓度差以及外加电场作用力加速侵入试块中;直流电场比交变电磁场促进离子迁移更加明显;碳硫硅钙石形成的进程主要包括离子迁移、产生膨胀性物质(加速离子迁移)、经过AFt转变形成碳硫硅钙石3个阶段。
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