高压驱动器功率密度ganfet功率损耗集成样片ti
摘要:基于数十年的电源管理创新经验,德州仪器(TI)近日宣布推出一款600 V氮化镓(GaN)70 m U场效应晶体管(FET)功率级工程样片,从而使TI成为首家,也是唯一一家能够向公众提供集成有高压驱动器的Ga N解决方案的半导体厂商。与基于硅材料FET的解决方案相比,
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《信息技术与网络安全》(CN:10-1543/TP)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《信息技术与网络安全》现已更名为《网络安全与数据治理》。
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