作者:孙郯esdesd模型tlp多晶硅
摘要:静电放电现象是导致集成电路损坏的一个重要原因,目前绝大多数集成电路中的ESD保护电路都是在硅片上实现的,这将占用一定的硅片面积,提升电路的成本。如果能够在多晶硅层(垂直空间)实现ESD保护器件,就能够节约一定的面积,从而节约成本。介绍了对于在多晶硅上实现的静电保护器件的研究结果。
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