作者：李蕾; 惠晓威cmos基准电流源工艺补偿温度系数电源电压抑制比
摘要：设计了一种应用于集成电路内部的基准电流源,采用2.5 V/0.25 μm RF CMOS工艺.在电流源设计中,由工艺产生的K＇（μCox）和VTH的偏差,△KN＇和△VTH,会影响基准电流Iref的精确度,在原有PTAT基准电流源的基础上给出了一种电路结构,该电路能补偿△KN＇和△VTH对基准电流的影响.结果通过HSPICE仿真,经工艺分析,证明其具有良好的工艺稳定性、温度系数和电源电压抑制比.
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