作者：董帅; 刘立帅; 叶学民导电平板哈特曼边界层稳定性非正则模态数值模拟流动
摘要：采用非正则模态稳定性分析方法，对法向磁场作用下导电流体在导电平行平板内的流动稳定栏进行了数值模拟，分析了磁场对流动稳定性的影响。结果表明，哈特曼数Ha较大时（Ha〉9），上、下两个哈特曼边界层基本上各自独立，互不影响；哈特曼数Ha较小时（Ha〈9），上、下两个哈特曼边界层距离较近，存在着一定的相互作用，并影响着整个流场的稳定性。平板导电时的扰动增长特征与平板绝缘情形下基本类似；但在平板导电条件下，磁场对扰动的抑制效果更明显。
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