作者：豆鹏飞印迹聚合物本体聚合法吸附性表征
摘要：分子印迹技术是近些年发展起来的一种新的分子识别技术,如今已成为当前研究的热点之一。通过分子印迹技术获得的分子印迹聚合物具有选择性高、稳定性好及制备简单等特点。本文介绍了一种新的镥离子印记聚合物合成的方法,即以镥(Ⅲ)离子作为模板,4-乙烯基吡啶(4-VP)、乙酰丙酮(Hacac)和镥(Ⅲ)形成的三元配合物为功能单体、乙二醇二甲基丙烯酸酯(EDMA)为交联剂,采用传统方法--本体聚合法合成镥(Ⅲ)离子配位分子印迹聚合物。本文研究了镥(Ⅲ)离子印迹聚合物对镥(Ⅲ)离子的吸附性,并分别用紫外、红外及X射线衍射(XRD)对其进行了系统表征。结果表明,印迹聚合物对镥(Ⅲ)离子具有良好的亲和性,其饱和吸附量为Qmax=69.4mg/g,与实验所得的最大吸附量64.2mg/g基本相符。
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