作者：吕忠; 阳世群; 高鹏场效应管火灾危险性发热击穿痕迹鉴定火灾调查
摘要：为研究场效应管火灾危险性以及形成的痕迹特征,以常见的MOSFET为研究对象分别进行发热和击穿试验,并分析形成的痕迹特征。试验结果表明:MOSFET发热主要与驱动电压、开关频率和散热设计有关,当驱动电压不足、开关频率高或散热设计差时会导致MOSFET发热增大;MOSFET击穿放电会伴随强烈的电弧,甚至可引发明火,在击穿后大部分S极上部壳体留下明显的击穿痕迹,同时各极之间电阻值明显降低。试验结果可为相关痕迹鉴定提供技术方法。
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