作者：Denis; Salesski半导体元器件静电放电离子化esd损毁系统性高灵敏度打交道
摘要：与半导体元器件打交道时始终存在着因ESD静电放电而损坏半导体元器件的风险。实践表明这并不是孤立的个案。据有关专家估计,大约1/4的半导体元器件损毁的原因都是ESD静电放电,而静电放电总是在同一地方发生。因为这样的损毁是一种系统性事件,因此受静电放电影响的常常是若干个元器件,半导体元器件的高灵敏度是造成这种恶果的主要原因。
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《现代制造》（CN：11-4836/TH）是一本有较高学术价值的大型半月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《现代制造》重点报道传统制造技术的创新（技巧创新和决窍）和现代制造技术的最新进展、研究与生产应用成果，注重实用性，推介先进性，力促创新性，以我国机械制造技术的理论创新发展和制造企业制造现代化为己任。
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