作者：韩驿; 彭金鑫; 李炳生; 王志光; 魏孔芳; ...碳化硅离子注入拉曼光谱损伤累积
摘要：利用拉曼光谱研究了He^2＋ 注入六方SiC晶体样品时的损伤缺陷随注量的变化关系，并采用直接碰撞/缺陷模拟模型与多级损伤累积模型，模拟了室温及723，873，1 023 K 下晶体样品的无序度随注量的变化关系。测试结果表明：随着注量的增加，晶体样品无序度增大，样品的拉曼特征峰强度减小。
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