作者：玛丽娅·黑尼; 赵晓凡; 李豫东; 莫敏·赛来...转换效率量子效率电子辐照位移损伤
摘要：为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能 衰退情况,对 InGaAsP/InGa As双结电池开展了1MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电 学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况.结果表明：随着电子注量和位移损伤剂量的增 加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短 路电流和开路电压下降的主要原因; InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加 严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构.
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
