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能耐受650℃和强烈辐射的新型芯片

作者:周道其芯片耐高温性碳化硅晶片分子层沉积

摘要:日本Yoyota研究实验室和Dens0公司科学家研制成一种新工艺。利用该工艺能制取耐受650℃高温的新型芯片,普通芯片很难经受70℃温度。其奥秘在于新型芯片的材料。它不是普通的硅,而是碳化硅。碳化硅在性能上非常适合来制作芯片,其实这一点早在50年前就已知道。

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现代物理知识

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