作者：郁思冲; 沈勇; 沈逸飞; 胡小赛; 吕佳颖; ...电磁屏蔽损耗
摘要：在花状Cu S微球表面原位聚合生成聚苯胺（PANI）,制备核-壳结构花状Cu S/PANI复合材料,并研究了花状Cu S/PANI的电磁屏蔽效能。XRD、SEM、TEM、TG、FT-IR和UV-Vis等表征结果证明PANI原位聚合在六方相花状Cu S表面及其相互作用的存在。电磁屏蔽效能测试结果表明,Cu S/PANI的屏蔽效能与Cu S质量分数密切相关。当硫化铜质量分数为50%,匹配层厚度3 mm,Cu S/PANI在300 k Hz~3.0 GHz频率范围内的屏蔽效能小于-18 d B,在2.78 GHz左右有最大损耗-45.2 d B。
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