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多约束下寻找关键门的门替换技术缓解电路的NBTI效应

作者:周瑞云; 易茂祥; 黄正峰负偏置温度不稳定性电路老化关键门时延约束影响因数门替换

摘要:随着晶体管特征尺寸的不断减小,威胁数字电路可靠性的一个重要因素是负偏置温度不稳定性。为了缓解NBTI效应对电路产生的老化影响,文中提出时延约束、路径约束和考虑非门的可防护性约束的多约束下,通过计算门的影响因数的大小来寻找定位关键门集合,用门替换的方法来防护关键门。通过实验进行证明,文中提出的方法不仅识别出的关键门数量少,且更加精准,老化的时延改善率更高。

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现代电子技术

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