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温度自适应性DRAM刷新时钟电路

作者:曾锋; 任明明; 易茂祥; 张昭勇刷新动态存储器温度适应性功耗

摘要:动态存储器(DRAM)需要通过刷新来保持内部的数据。为降低存储器刷新过程的电路功耗,设计一种具有温度自适应特性的刷新控制电路。根据二极管的电流在闽值电压附近的温度特性,利用电容充放电的结构,提出一种具有温度自适应特性的刷新时钟电路,使存储器刷新频率随电路温度变化而变化,其趋势符合动态存储器的刷新要求。仿真实验结果表明,新的电路在保证DRAM信息得到及时刷新的前提下,有效地降低了其刷新过程中的功耗。

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现代电子技术

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