作者:屈宝鹏; 张喜凤磁控溅射有限元横向分量磁通量密度
摘要:磁控溅射靶枪中磁通量密度的横向分布情况对靶材的利用率、沉积薄膜的质量及磁控溅射过程的稳定性等都有重大的影响。利用有限元理论对靶表面磁通量密度的横向分量进行了模拟分析。同时,也使用高斯计对靶表面磁场强度的横向分布进行了实际测量。比较得知,模拟结果和实际测量结果在很高的精度上是一致的。这个结果对于优化磁控溅射靶枪的设计及提高膜层的特性等方面都具有很高的实用价值。
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《现代电子技术》(CN:61-1224/TN)是一本有较高学术价值的大型半月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。
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