作者:肖立娟zno薄膜p型掺杂c轴择优取向机电耦合系数光电器件压电常数半导体材料禁带宽度
摘要:作为第3代新型宽禁带Ⅱ-Ⅵ化合物短波长半导体材料的氧化锌(ZnO),具有3.37eV的禁带宽度和较小的波尔半径(1.8nm)以及高达60meV的激子束缚能,可以使ZnO在室温下实现有效的激子发射,在制备蓝光或紫外光等光电器件上比氮化镓(GaN)更有优势,展现出更广阔的应用前景。ZnO具有极高的C轴择优取向,本征ZnO具有极的高电阻,使它具有良好的压电常数与机电耦合系数,可应用于压电、声光等器件。
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