半导体纳米电子材料耗散效应晶体管刻蚀工艺隧道效应
摘要：1 Intel研发的全景介绍 面对芯片制造工艺复杂度与精度的提高、全球中试与制造基地的拓展、市场价格降低的压力以及愈发严格的环境政策法规的限制,Intel公司启动了以纳米技术为核心的器材发展计划.
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