类铑等电子序列双电子复合的理论研究

作者：符彦飙; 马德全; 杨志龙双电子复合速率系数dac效应

摘要：基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细计算了类铑等电子序列10个离子(Sn^5+,Sb^6+,Te^7+,Xe^9+,Gd^19+,Tb^20+,W^29+,Re^30+,Au^34+,Tl^36+)的双电子复合(Dielectronic recombination,DR)速率系数,研究了激发通道和辐射通道,共振稳态跃迁、非共振稳态跃迁和辐射跃迁到可自电离态及随后的级联退激对双电子复合的贡献,分析了各种效应随原子序数的变化规律.结果表明,级联退激的贡献随着原子序数的增大越来越小,至Tl^36+离子(Z=81),其贡献在4000eV处有19.98%,仍不可忽略.仅考虑共振稳态跃迁和非共振稳态跃迁贡献计算值与又考虑了级联退激贡献计算值的偏差在13.40%以内.为了方便使用,对得到的总DR速率系数进行了参数拟合.并且总结了总的DR速率系数的规律,得到了适用于类铑等电子序列中高温处的一个经验拟合公式.

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