作者：陈全海; 马书懿光致发光发光中心高斯峰
摘要：采用γ射线辐照含纳米硅的氧化硅薄膜，测量了其辐照前后的光致发光谱．用Gauss函数对各发光谱进行了拟合，结果表明各光谱都是三峰结构．γ辐照后，除原有的2个位于800nm（1．55eV）和710nm（1．75eV）的发光峰峰住几乎未变之外，位于640nm（1．94eV）的肩峰被一个很强的580nm（2．14eV）的新峰遮盖．根据实验现象与光谱分析．可以认为含纳米硅的氧化硅薄膜的光发射主要来自电子-空穴对在SiO2层发光中心上的辐射复合．
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