2H-SiC体材料电子输运特性的EMC研究

作者：王平; 杨银堂; 崔占东; 杨燕; 付俊兴多粒子蒙特卡罗研究迁移率漂移速度平均能量

摘要：目的对2H-SiC体材料的电子输运特性进行研究.方法在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo,EMC)方法.结果计算表明:低场下,温度一定时,2H-SiC纵向电子迁移率比4H-SiC和6H-SiC都高,横向迁移率则较为接近.296 K时,由EMC方法得到的纵向电子饱和漂移速度为2.2×107 cm/s,横向电子饱和漂移速度为2.0×107 cm/s.当电场条件相同时,2H-SiC同4H-SiC以及6H-SiC中的纵向电子平均能量相差较大.在阶跃电场强度为1 000 kV/cm时,其横向瞬态速度峰值可达到3.2×107 cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.结论可以被用来设计SiC 器件和电路.

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