作者:张博; 吴昊谦; 孙景业; 陈婷; 王星低噪声放大器电容交叉耦合跨导增强低功耗宽带宽
摘要:采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计一种低功耗电容交叉耦合低噪声放大器。利用电容交叉耦合结构使电路在不损失功耗的情况下提高电路有效跨导,采用宽增强技术有效的改变电路零极点位置以拓宽电路工作带宽。仿真结果表明,该低噪声放大器工作带宽为6.8GHz,电路噪声系数为2.8dB,功耗为5.35mW,满足LNA电路的性能指标要求。
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
《西安邮电大学学报》(CN:61-1493/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《西安邮电大学学报》为满足本院师生和通信业科研、管理人员的学术交流需求,促进学院教学、科研水平的提高和我国信息产业的发展,主要刊登通信工程理论及技术、计算机理论及技术、信息产业发展中的经济管理理论以及相关基础理论研究和教育教学研究等方面的最新成果。
省级期刊
人气 238639 评论 36
人气 154231 评论 33
人气 151905 评论 53
人气 123243 评论 54