作者：李金平; 王琨碳化硅功率器件阻断电压通态电阻
摘要：基于近20年的研发，宽禁带半导体材料碳化硅（SIC）的金属一氧化物一半导体场效应晶体管（MOSFETs）的制备工艺逐步成熟，性能不断提高，已有SiCMOSFETs产品进入市场，故综述双注入MOSFETs（DMOSFETs）和沟槽MOSFETs（UMOSFETs）两种结构的SiCMOSFETs的研究进展和发展趋势，并介绍SiCMOSFETs器件制备的关键工艺和目前推出SiCMOSFET产品的公司及其产品性能。
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