作者：徐静萍模拟电路设计带隙基准源电源抑制比低电压
摘要：设计了一款高精度、低电源电压的CMOS带隙基准源，具有良好的电源抑制比。电路采用电流模结构和反馈控制实现了低电压、低功耗和高电源抑制比。基于0．25μm CMOS工艺，测试结果表明：在1V电源电压下，1KHz频率时，电源抑制比约为80dB，在0—70℃温度范围内，输出电压变化率不超过0．3％。
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