作者：宁叔帆; 刘晓霞; 马勇; 陈寿田碳化硅晶须sic制备方法气相反应法固体材料法纳米材料
摘要：目前生产SiCw(碳化硅晶须)的方法主要有气相反应法和固体材料法两大类．气相反应法应用最为普遍的是气相沉积法(CVD法)；固体材料法生产SiCw主要有VLS机理和VS机理．生产出的SiCw主要用作高强度、高硬度结构材料的增强、增韧．使用SiCw增强、增韧的材料，可广泛用于航空航天、军事和民用等众多工业领域．
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