作者：姜凤阳; 刘江南; 王俊勃; 贺辛亥生物形态sic陶瓷纳米线生长机制sio2
摘要：为了研究生物形态SiC陶瓷上纳米线的形成及影响因素，揭示其形貌演化过程及生长机制.通过控制遗态转化温度和氧含量制备不同纳米线修饰的生物形态SiC陶瓷，采用扫描电子显微镜和透射电镜表征陶瓷上纳米材料的微观结构.结果表明：生物形态SiC陶瓷上制备的纳米线主要为SiC和SiO 2，并受温度及SiO饱和分压变化的影响，微量氧在纳米材料生长过程起关键作用.随合成温度升高，生物形态陶瓷上的纳米线的尺寸逐渐变大，纳米线的形貌依次为项链状、绒毛状、直棒状以及高温下的柱状晶须结构.SiO 2纳米线和无圆形尖端的SiC纳米线的生长方式均为气固机制，SiO 2纳米线的生长过程为化学气相反应沉积过程，而SiC纳米线的生长则需要孪晶及堆垛层错提供驱动力辅助生长.
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