作者:巩蕾 高明 吴振森半空间方法复合散射镶嵌缺陷粒子基片
摘要:为了更好地诊断出基片无损检测工作中缺陷粒子姿态的详细信息,使用三波技术给出了半空间问题相应的连接边界条件,利用互易性定理简化近远场外推中的场变换过程,给出了一种有效的计算基片与镶嵌缺陷粒子散射方法.在数值计算中与矩量法(MOM)进行了比较,得到了P偏振和s偏振下镶嵌Cu和SiO2球体缺陷粒子的微分散射截面和电场分布.研究结果表明:介质缺陷的微分散射截面的值小于同条件下金属缺陷粒子的值.在应用中可通过分析P偏振场值分布特点反演缺陷特征值.
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