作者：于灵敏; 范新会; 刘春霞; 严文环境压力硅纳米线硅微米晶须方向性热蒸发法晶体生长
摘要：用物理热蒸发法在不同环境压力下制备硅纳米线和硅微米晶须.借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析和透射电子显微镜对不同环境压力下的硅纳米线及硅微米晶须的形貌、化学成分和晶体结构进行分析.研究了环境压力对硅纳米线和硅微米晶须生长的影响.结果表明:平行排列的硅纳米线和硅微米晶须生长的环境压力为13.3 kPa;环境压力不但对硅纳米线和硅微米晶须直径产生影响,而且对其生长方向性有一定影响;硅微米晶须杆部出现等距离分布单晶硅颗粒,这是在高温退火过程中发生的球化作用所致.
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