纳米电子器件高电子迁移率晶体管光刻工艺hemt器件单电子晶体管基础研究量子输运科技平台
摘要：2014年9月11日，国家专家复旦大学985微纳科技平台副主任陈宜方教授来校作了题为《电子柬光刻及其在纳米电子器件中的应用》的报告．陈宜方教授重点介绍了电子束光刻工艺及其在纳米电子器件基础研究中的应用．这些纳米电子器件包括量子输运器件（QTDevice）、单电子晶体管（SETs）和高电子迁移率晶体管（HEMTs）．陈教授着重讲解了HEMT器件中T形栅的基础工艺。
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