作者：韩茹; 杨银堂碳化硅补偿电流源冻析效应体漏电流
摘要：考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应，对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正，分析了造成6H—SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因．结果表明：界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的升高逐渐减小；漏衬界面缺陷是造成体漏电流较大（达到微安量级）的主要因素，且缺陷密度越大，该值随温度增长的速度越快．
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