作者：杨银堂; 任乐宁; 付俊兴准浮栅超低压运算放大器cmos
摘要：分析了准浮栅晶体管的工作原理、电气特性及其等效电路,基于准浮栅PMOS晶体管,设计了超低压低功耗运算放大器.基于台积电的0.25μm CMOS工艺,利用Hspice对所设计的运放进行了模拟仿真.仿真结果显示,在0.8V的单源电压下,运算放大器的最大开环增益为76.5dB,相位裕度为62°,单位增益带宽为2.98MHz,功耗仅为9.45 μW.
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