作者：罗宏伟; 杨银堂; 朱樟明; 解斌; 王金延flotox结构eeprom可靠性隧穿氧化层退化快闪存储器
摘要：分析了影响FLOTOX EEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOX EEPROM性能退化的主要原因.实验证实氧化层中的陷阱电荷对FLOTOX EEPROM性能的退化起主要作用.
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