Ni／4H－SiC肖特基二极管高温特性研究

作者：王悦湖; 张义门; 张玉明; 陈锐标; 王雷; ...碳化硅肖特基势垒二极管伏安特性热电子发射理论高温特性器件结构

摘要：采用自行研制的工作在800℃的半导体器件高温测试装置,对Ni/4H-SiC肖特基二极管的伏安特性在常温297 K至677 K的温度范围内进行了测量,表明温度升高对正向特性的影响非常显著,而对较低偏置(30 V以下)条件下的反向特性影响则比较小.对实验结果进行了比较分析,I-V特性测量说明镍4H-SiC肖特基二极管有较好的整流特性,在正向偏压条件下,热电子发射是其主要的输运机理,理想因子在297～677 K的温度范围内从1.165增加到1.872,肖特基势垒高度的变化范围为0.916～2.117 eV,正向导通电压为0.5 V.

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