作者：庄惠照; 高海永; 薛成山; 王书运; 董志华ga2o3薄膜zno缓冲层氨化自组装射频磁控溅射
摘要：利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中850 ℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN薄膜.XRD测量结果表明利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用傅里叶红外吸收光谱仪测量了薄膜的红外吸收谱,利用SEM和TEM观测了薄膜形貌,PL测量结果发现了位于350 nm和421 nm处的室温光致发光峰.
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