作者：孔祥东; 张玉林; 魏守水电子束光刻liga技术刻蚀深度曝光剂量半导体
摘要：提出了基于电子束的LIGA(Líthographíe,Galvanoformung,Abformung)技术新概念.根据Grune公式就电子束能量对抗蚀剂刻蚀深度的影响进行了理论分析,并在SDS-2电子束曝光机上分别采用5 keV、10 keV、15 keV、20keV、25 keV、30 keV等能量的电子束对国产胶苏州2号进行了曝光实验,得出了能量/刻蚀深度关系曲线.用5 keV、30 keV两种能量的电子束,通过改变曝光时间进行了曝光剂量对刻蚀深度的影响实验,得出了曝光剂量-刻蚀深度关系曲线.实验结果表明,增大电子束能量或增强曝光剂量,就可以增大刻蚀深度,证明了基于电子束光刻的UGA技术不但是可行的,而且更易于加工各种带曲率的微器件.
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