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LTE微型直放站的研究与设计

作者:李世文; 李立聪直放站单片机防自激自动增益控制低噪放

摘要:针对传统直放站的增益控制困难且容易产生自激等问题,提出了一种具有自动增益控制和防自激的LTE微型直放站的设计方法。该款微型直放站采用噪声系数小、增益高的SGA8343芯片和单片机来实现,其上行频段为1 710~1 785 MHz,下行频段为1 805~1 880 MHz。对该款微型直放站的RF电路、ATT衰减电路、AGC控制电路和单片机控制电路进行了介绍,对微型直放站进行了测试与分析。测试结果表明,下行增益约为75 dB,上行增益约为80 dB,平坦度小于6 dB(p-p),噪声系数小于6 dB,可以满足在实际工程中的应用要求。

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无线电工程

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