手机充电器意法半导体内部保护芯片脉冲能量吸收能力泄漏电流电量消耗
摘要：为支持通用手机充电器，意法半导体推出全新手机内部保护芯片ESDA8V2—1MX2，其占位面积仅为1．0mm×1．45mm，而对电源浪涌的吸收能力达到峰值脉冲能量500W，该芯片的另一个优点是具有极低的泄漏电流，这样可以降低电池电量消耗．延长充电间隔。相信不久的将来，爱好者就能在自己的通用手机充电器里看到此类高性能的保护芯片了。
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《无线电》（月刊）创刊于1953年，由工业和信息化部主管，人民邮电出版社主办，CN刊号为：11-1639/TN，自创刊以来，颇受业界和广大读者的关注和好评。 《无线电》从电子技术的发展到应用，从家电产品的推介、选购、使用到维修，从工厂、研究所、各企事业单位应用的电路到适合个人工作、学习、生活的制作项目，从引导青少年、初学者入门到培养他们成为有一技之长的有用人才，《无线电》提供了多层次、多方位的服务。
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