作者：赵理科场效应管电子元器件安全工作区fet场效应晶体管半导体器件输入电阻电压控制击穿功耗
摘要：场效应管是场效应晶体管((Field Effect Transistor，简称FET))的简称，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(10^7’～10^9Ω)、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为普通晶体管的强大竞争者。
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