作者：边子夫; 李晖; 徐世海; 刘卫丹; 陈阳; 高...gasb表面粗糙度ph值氧化剂
摘要：主要研究了GaSb单晶片的化学机械抛光（CMP）。使用硅溶胶作为抛光液对切割、机械抛光后的GaSb单晶片进行了CMP实验。在实验中，通过调节抛光液配比、PH值等工艺参数，研究不同氧化剂的掺入以及抛光液不同PH值对GaSb单晶片表面的影响。通过实验得出，最终在pH值为8且使用NaClO作为氧化剂的条件下，得到平整度较好、表面缺陷少、表面粗糙度低的高质量抛光表面的GaSb单晶片。通过微分干涉显微镜观察抛光后的单晶片表面无明显缺陷。经原子力显微镜（AFM）测试，单晶片的表面粗糙度达到了0．257nm。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
