作者：刘亚莹; 蒋府龙; 刘梦涵; 方华杰; 高鹏; ...ingan电致发光峰位相对外量子效率极化效应俄歇复合
摘要：主要利用电致发光的实验手段,研究了极化效应对InGaN基LED器件发光特性的影响。实验中发现,InGaN基LED器件的峰位随注入电流的增加产生了先蓝移后红移的现象,蓝光和绿光LED分别蓝移3 nm和8 nm;而AlGaInP基红光LED器件的峰位仅红移。进一步研究发现,InGaN基LED的外量子效率在注入电流为50 mA处开始剧烈下降,AlGaInP基LED的外量子效率在100 mA处才开始缓慢下降,并且两者呈现不同的下降规律。通过与模拟结果对比发现,InGaN基LED的效率在下降开始阶段与俄歇复合引起的效率下降规律类似。以上实验结果表明,InGaN基LED器件中存在极化电场,且该极化电场会对LED器件的效率衰减产生促进作用。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
