作者：郑柳; 潘艳; 夏经华; 刘瑞; 杨霏al离子注入二次高温退火霍尔测试空穴浓度激活率
摘要：在4H-SiC中进行Al离子注入,并进行了二次高温退火技术研究。样品中Al离子的注入浓度为3×10^19cm-3,对样品进行首次高温退火工艺后,在不同条件下对样品进行二次退火。退火后对样品进行霍尔测试和二次离子质谱（SIMS）测试。测试结果显示,二次退火工艺有助于进一步提升Al离子在碳化硅中的有效电激活率。在1 850℃下进行3 min首次退火后,1#样品的有效空穴浓度只有3.23×10^17cm-3。在1 850℃下进行3 min的二次退火后,2#样品的有效空穴浓度增大到了6.4×10^18cm-3。同时二次退火导致了Al离子总剂量的降低,二次退火时间越长,温度越高,Al离子总剂量降低越显著。
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