作者：秦书超 董瑞新 杜倩倩 王媛zns纳米薄膜负微分电阻记忆特性退火温度能谷散射
摘要：通过激光分子束外延（LMBE）和热蒸发技术制备了基于ZnS纳米薄膜的A1／ZnS／ITO／玻璃器件，通过原子力显微镜（AFM）对ZnS表面薄膜形貌进行表征，采用Keithley 2400测量其电学特性，分别研究了扫描电压、ZnS薄膜厚度及不同温度的退火处理对器件电学特性的影响。实验结果表明：在不同的扫描电压作用下，器件均表现出稳定的负微分电阻特性，且其阻值随扫描电压的变化呈现出高低电阻两种状态，器件具有明显的记忆特性。适当减小ZnS薄膜的厚度或对器件进行400℃退火处理，均可有效减小低阻态的阻值，提高器件的峰一谷电流比率，进而优化器件的记忆特性。最后，基于能谷散射理论，对器件的负微分电阻特性进行了合理解释，理论和实验结果吻合较好。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
