作者：李章恒 杨传仁 张继华 陈宏伟 赵强薄膜射频磁控溅射陶瓷靶材退火温度
摘要：采用传统陶瓷工艺制作溅射靶材,通过射频磁控溅射法在Al2O3基片上制备了Mn-Co-Ni-O系NTC薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）对不同退火温度下制备的NTC薄膜的结构和形貌进行表征。经过蒸发电极、内电极图形化、淀积二氧化硅钝化层等工艺,将薄膜制成0805规格NTC热敏电阻器。利用高低温试验箱等测试系统对其性能进行测试,研究了退火温度对薄膜阻温特性的影响。结果表明,随着退火温度的升高,晶粒逐渐长大,当退火温度为950℃时,晶粒大小均匀,成相平整致密;材料常数B随着退火温度的升高而增大。
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