作者:吴巨 金鹏 吕小晶 王占国 曾一平 王宝强 ...自组装量子点生长条件结构形态inas量子点mbe平衡形态
摘要:3.2 InAs/GaAs(001) 与Ge/Si量子点实验研究结果的普适性和简单性相比,InAs/GaAs的情况要复杂得多,对生长条件的敏感性也要高许多。G.Constantini等人提出对Ge/Si体系的观察结果也同样适用于InAs/GaAs,但是他们的InAs量子点生长是以在500℃、0.008ML/s的速率进行的。以这种慢速率生长的InAs量子点体系有大小两种形态(据称大量子点形态是热力学平衡形态),这是在实际应用中不希望出现的。
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