作者：靳翀; 卢盛辉; 杜江锋; 罗谦; 周伟; 夏建...电流崩塌串联电阻氮化镓高电子迁移率晶体管表面态
摘要：基于实验测试数据，综合分析了栅源、栅漏串联电阻增大后电流崩塌Ⅰ-Ⅴ曲线变化差异。研究表明：在脉冲测试条件下，RS增大，栅下沟道开启程度减弱，漏电流如变小；RD增大，栅下沟道漏端等效漏电压减小，膝电压VKNEE变大。该实验结果可望通过RD与RS表征研究导致GaN HEMT电流崩塌的表面态变化。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
《微纳电子技术》（CN：13-1314/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《微电子技术》被俄罗斯《AJ》收录、英国《SA》,INSPEC数据库收录、美国《剑桥科学文摘》收录《剑桥科学文摘》、剑桥科学文摘社ProQeust数据库、《物理学、电技术、计算机及控制信息数据库》、北大2014版优秀期刊、美国《ProQuest数据库》、美国《乌利希期刊指南》收录。
部级期刊
人气 370221 评论 74
省级期刊
人气 366634 评论 69
人气 307854 评论 62
人气 269385 评论 66
