作者：赵子奇; 杜江峰; 罗谦; 靳翀; 杨谟华gan高电子迁移率晶体管电流崩塌脉冲测试表面态
摘要：针对GaN HEMT电流崩塌物理效应，测试了各种条件下器件I-V特性。发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23．8％，且随着栅脉冲宽度减小或周期增大而下降，并且获得了其输出电流与脉冲宽度W和周期T的定量关系；在漏脉冲测试条件下，器件输出电流有所增大，并随着脉冲宽度减小而缓慢增大。实验结果，可用器件栅漏之间表面态充放电的原理来解释所观察到的测试现象和电流崩塌物理。
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