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微纳电子技术 2006年第03期杂志 文档列表

微纳电子技术杂志专家论坛

高k栅极电介质材料与Si纳米晶体管第113-120页

关键词: 电介质材料；  高k电介质；  物理和电性能；  纳米晶体管；  

微纳电子技术杂志纳米器件与技术

表面态对GaN HEMT电流崩塌效应影响的研究第121-124页

关键词: gan高电子迁移率晶体管；  电流崩塌；  脉冲测试；  表面态；  

Cl2／BCl3 ICP刻蚀GaN基LED的规律研究第125-129页

关键词: 感应耦合等离子体刻蚀；  gan；  刻蚀速率；  选择比；  垂直度；  

微纳电子技术杂志纳米材料与结构

偶氮聚合物光存储研究进展第130-134页

关键词: 偶氮聚合物；  光存储；  光致各向异性；  光致双折射；  信息技术；  

纳米压印光刻技术第134-134页

关键词: 光刻技术；  纳米压印；  术语定义；  成像技术；  纳米级；  硅衬底；  光刻胶；  物理学；  图形；  

H2O，Ne分子填充对纳米碳管振荡器性能的影响第135-137页

关键词: 纳米碳管；  碳管振荡器；  分子动力学；  h2o或ne分子；  

微纳电子技术杂志MEMS器件与技术

压电陶瓷致动器驱动电源的研究第138-140页

关键词: 压电陶瓷致动器；  高压运放；  驱动电源；  

基于量子效应的微型推进器设计第141-144页

关键词: 卡西米尔力；  零点能；  微型推进器；  

纳米梁非线性振动的动力学分析第145-149页

关键词: 纳机电系统；  连续体；  非线性模型；  dufflng方程；  阻尼；  

微纳电子技术杂志显微、测量、微细加工技术与设备

半导体硅上激光诱导选择性化学镀铜第150-153页

关键词: 微型图元；  激光；  化学镀；  活化；  选择性镀膜；  

ULSI中低k介质的化学机械全局平坦化分析研究第154-158页

关键词: 全局平坦化；  化学机械抛光；  低k介质；  机理；  抛光液；  

微纳电子技术杂志业界快讯

FSI国际PlatNiStrip镍铂薄膜工艺经过验证，应用于65nm生产工艺第159-159页

关键词: 薄膜工艺；  生产工艺；  fsi；  验证；  国际；  应用；  铂；  镍；  去除工艺；  有限公司；  

英特尔首款45nm工艺芯片晶体管密度翻倍,功耗降三成第159-159页

关键词: 英特尔公司；  生产工艺；  晶体管；  密度；  芯片；  功耗；  65nm工艺；  开关速度；  

NEC采用浸入式光刻开发出55nm工艺,预计2007年量产第159-159页

关键词: 65nm工艺；  nec电子公司；  浸入式；  开发；  光刻；  预计；  高k材料；  待机模式；  工艺技术；  网络系统；  

英特尔65nm芯片广泛采用铜柱块凸接合第159-159页

关键词: 英特尔处理器；  接合技术；  铜柱；  芯片；  微处理器；  封装技术；  印制线路板；  可靠程度；  机械能力；  含铅量；