作者：霍林; 郭琦; 李惠军超大规模集成电路超深亚微米可制造性设计半导体器件模拟
摘要：分别采用流体力学模型和漂移扩散模型对不同沟道长度的NMOSFET进行衬底电流的提取,并以NMOSFET沟道长度和LDD注入峰值综合对器件特性的影响为研究内容,介绍了集成电路可制造性设计中器件参数的优化与提取.
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《微纳电子技术》（CN：13-1314/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《微电子技术》被俄罗斯《AJ》收录、英国《SA》,INSPEC数据库收录、美国《剑桥科学文摘》收录《剑桥科学文摘》、剑桥科学文摘社ProQeust数据库、《物理学、电技术、计算机及控制信息数据库》、北大2014版优秀期刊、美国《ProQuest数据库》、美国《乌利希期刊指南》收录。
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