高k材料术语释义名词90nm工艺晶体管氧化物材料电流泄漏泄漏现象二氧化硅漏电流soi绝缘层流动衬底栅极
摘要:在不同晶体管之间需要更好的绝缘,以避免电流泄漏。在90nm工艺之后,不同晶体管的间距变得非常之短,电流泄漏现象变得异常严重。虽然采用SOI可以有效隔断各电极向衬底流动的漏电流,使其只能够通过晶体管流动,但它对于同级晶体管之间的阻隔效果并不理想;继续用二氧化硅做为晶体管绝缘层也是不可取的。用高k值的氧化物材料来制造晶体管的栅极,
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《微纳电子技术》(CN:13-1314/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《微电子技术》被俄罗斯《AJ》收录、英国《SA》,INSPEC数据库收录、美国《剑桥科学文摘》收录《剑桥科学文摘》、剑桥科学文摘社ProQeust数据库、《物理学、电技术、计算机及控制信息数据库》、北大2014版优秀期刊、美国《ProQuest数据库》、美国《乌利希期刊指南》收录。
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