铜互连

铜互连半导体制造工艺互连材料信号延时芯片尺寸传统工艺技术节点电路部分介电材料介电常数时钟频率金属电阻率选用

摘要：铜互连是指以Cu作为金属互连材料的一系列半导体制造工艺，以此克服传统工艺中采用Al作为金属互连材料在芯片尺寸越来越小时产生的信号延时增大的问题。在90nm及其以下的技术节点上，主要信号延时将来自互连电路部分。因此，选用电阻率比较小的金属互连材料和选用介电常数比较小的介电材料是降低信号延时、提高时钟频率的两个主要方向。

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